IGBT芯片技术
1、芯能半导体凭借多年的技术以及市场积累，自主研发设计了国际领先的沟槽栅+场终止的IGBT芯片技术 ，使产品获得更佳的性能 。
2 、同时，为了应对特殊市场，研发部门还在开发一些专用的IGBT芯片技术 ，例如用于电磁加热市场更高性价比的RC-IGBT芯片等 。
IGBT芯片特点
- 更低的导通损耗
- 更低的开关损耗
- 更快的开关速度
- 更大的安全工作区（SOA）
- 更强的短路能力
- 超薄的芯片，更好的散热
产品列表
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型号
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规格
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封装
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参数
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应用
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XNA6N60T
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600V/6A
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TO-263
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Vcesat=2.10v，Tsc>10us
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电机驱动
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XNT10N60T
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600V/10A
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TO-220
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Vcesat=1.65v ，Tsc>10us
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电机驱动、变频器
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XNF15N60T
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600V/15A
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TO-220F
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Vcesat=1.90v，Tsc>10us
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电机驱动、工缝
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XNF20N60T
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600V/20A
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TO-220F
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Vcesat=1.70v，Tsc>10us
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电机驱动 、变频器
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XNS20N60T
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600V/20A
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TO-247
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Vcesat=1.70v，Tsc>10us
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电机驱动 、变频器
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XNS40N60T
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600V/40A
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TO-247
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Vcesat=1.75v，Tsc>10us
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焊机 、电机驱动、电磁加热
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XNS40N120T
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1200V/40A
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TO-247
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Vcesat=1.80v，Tsc>10us
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电焊机、电机驱动
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XNL40N120T
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1200V/40A
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TO-264
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Vcesat=1.80v，Tsc>10us
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电焊机、电机驱动
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SP25N135T
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1350V/25A
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TO-3P
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Vcesat=1.90v，Tsc>10us
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电磁加热
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SP25N135TR
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1350V/25A
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TO-3P
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Vcesat=2.10v ，Tsc>10us
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电磁加热
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XNS25N135TR
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1350V/25A
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TO-247
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Vcesat=2.10v ，Tsc>10us
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电磁加热
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